报告题目：
"旋转、堆叠，我不停歇"-- 范德华垂直组装电子器件
时间：11月13号（星期五）16：00
地点：理工楼801报告厅
内容摘要：
自上世纪中期金属氧化物半导体场效应晶体管（
MOSFET
）首次被演示以来，以互补性金属氧化物半导体
(CMOS)
电路为核心，硅基半导体“自上而下”的刻蚀、加工等工艺构成了现代计算机技术这座摩天大厦的重要基础。硅基半导体目前已经逼近各种工艺和物理极限，亟需研发新的体系，以期实现尺度更小、性能更丰富的纳米微电子结构。
范德华层状功能材料能够以‘纳米积木’的方式，堆叠、构建新架构，无需晶格匹配即可“自下而上”的垂直组装。该体系近年来迅猛发展，不断在微纳器件的新制造方式、新原理、新范式、新尺寸极限方面取得重要突破。本报告主要介绍我们近期在例如原子尺度FinFET场效应晶体管、各向异性浮栅存储器、二维磁性半导体器件，以及范德华异质结中量子输运的调控等介观器件物理的研究进展，与大家探讨该领域的发展前景和存在的挑战。
报告人简介：韩拯，山西大学 教授，博士生导师，入选国家青年海外人才计划，主要研究方向是介观尺度电子器件的功能调控。近年来在二维磁性材料与器件、新原理与新结构场效应晶体管等方面，做出了一系列原创成果，相关工作在Science、Nature Nanotechnology、 Nature Communications、Science Advances等期刊发表。
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